三星10nm制程明年底全面投產
全球10nm制程競賽正式開打！就在三星電子詳細說明了14nm制程技術的一個月之后，該公司正式宣布次世代的10nm FinFET制程技術。
據報導，三星在一場公司會議上宣布了10nm的消息，并透露這個制程明(2016)年底會全面投產，與臺積電的時程大致相同。三星晶圓代工部門副總裁Hong Hao表示，該公司的10nm制程在電力、面積與效能方面擁有強大優勢，應用的市場非常廣泛。
三星22日也對14nmFinFET制程透露更多細節，宣稱旗下德州奧斯汀廠以及格羅方德半導體紐約廠都已導入14nm制程科技。
據報導，三星電子曾在2月22-26日于舊金山舉辦的國際固態電路會議(International Solid State Circuit Conference，ISSCC)上展示了全球首見的10nmFinFET半導體制程，有望搶在英特爾之前打造出第一款10nm移動芯片組。
三星電子半導體事業部總裁Kim Ki-nam 2月當時在舊金山展場中表示，采用10nmFinFET制程技術的芯片不但更加省電、體積也更小，是物聯網(Internet of Things，IoT)演化進程中相當重要的一步。除了10nm制程技術之外，Kim也談論了10nm的DRAM與3D V-NAND存儲。目前還無法確定消費性電子產品何時才會導入這種最新的半導體制程技術，也許要等到2017年才有可能。
臺積電甫于昨日(5月21日)宣布，位于中科的臺積晶圓十五廠新建廠區，將用于10nm技術的量產，預計在明年中開始安裝機臺，并于后年生產。
根據俄羅斯科技網站獨家拿到的英特爾2013年-2016年計劃時程，該公司打算在明年第3季發表采用10nm制程技術的Cannonlake處理器，而14nm的Skylake架構系列處理器則會如期在今年第4季問世。
