美光預(yù)計年底量產(chǎn)3D NAND Flash
美國存儲器大廠美光（Micron）科技昨宣布，推出采用16nm制程的三階儲存（TLC）NAND存儲器，并預(yù)計今年底量產(chǎn)3D NAND存儲器。美光規(guī)劃在中國西安廠等地進(jìn)行后段封測，市場預(yù)估與美光合作在西安投資封裝廠的力成將接單受惠。
隨著韓國三星（Samsung） 、SK海力士（SK Hynix）量產(chǎn)高容量的TLC NAND存儲器與預(yù)備年底進(jìn)入3D NAND量產(chǎn)，美光也跟進(jìn)，預(yù)估USB及消費性固態(tài)硬盤等應(yīng)用功能將提高。美光預(yù)估今年市場對TLC的需求會越來越高，10億位元的NAND存儲器，總出貨量將約占存儲器產(chǎn)品市場的一半。
美光科技儲存事業(yè)部營銷總監(jiān)Kevin Kilbuck表示，該公司存儲器生產(chǎn)基地位于美國與新加坡，新加坡廠將投資40億美元擴(kuò)增產(chǎn)能，目前沒有計劃到中國投資設(shè)廠，但后段封測會在西安廠等地進(jìn)行。
力成去年底與美光簽訂半導(dǎo)體封裝投資合約，力成透過第三地于中國西安設(shè)立子公司，初期投資7千萬美元，6年總投資共約2.1億美元，力成設(shè)封裝廠承接美光的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM、Mobile DRAM及NAND存儲器等封裝代工業(yè)務(wù)。目前封裝廠興建中，今年底可望開始量產(chǎn)，明年產(chǎn)能全開。
